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Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices(CGD)는 영국 케임브리지대학교의 연구 성과를 기반으로 설립된 반도체 기업으로, 고효율 전력전자 시스템을 위한 질화갈륨(GaN) 전력 소자를 개발합니다. 핵심 ICeGaN 기술은 GaN 스위칭 기능과 인터페이스 및 보호 기능을 통합해 소형 전력 변환 시스템의 설계와 적용을 단순화합니다. 높은 스위칭 주파수를 활용해 에너지 효율과 전력 밀도를 높이고 시스템 크기를 줄이는 데 초점을 두며, 전원공급장치, 데이터센터, 재생에너지, 산업용 전력전자 및 전기 모빌리티 분야를 지원합니다. 영국 케임브리지에 본사를 두고 글로벌 전자 및 에너지 시장을 대상으로 차세대 전력 반도체 기술을 공급합니다.
  camgandevices.com
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10  '23
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CGD의 ICeGaN HEMT, TSMC의 유럽 연례행사에서 혁신 부문 ‘최고의 데모’로 선정

친환경 전자제품을 위한 에너지 효율적인 GaN 기반 전력 디바이스 제품군을 개발하고 있는 팹리스, 청정 반도체 기술 기업인 CGD(Cambridge GaN Devices)는 자사의 ICeGaN™ GaN HEMT SoC(System-on-Chip) 제품이 TSMC의 2023 유럽 기술 심포지엄 혁신 부문에서 ‘최고의 데모(Best Demo)’ 상을 수상했다고 밝혔다.

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