CGD, 데이터센터 및 인버터 등을 위한 향상된 열 성능을 갖춘 새로운 GaN 전력 IC 패키지 발표
전력 출력을 향상시키고, 검사를 간소화하며, 시스템 비용 절감 및 신뢰성 향상 등의 이점을 제공하는 새로운 패키지.
친환경 전자제품을 위한 에너지 효율적인 GaN 기반 전력 디바이스 제품군을 개발하고 있는 팹리스, 청정 반도체 기술 기업인 CGD(Cambridge GaN Devices)는 자사의 GaN 전력 IC인 ICeGaN™ 제품군의 열 성능을 향상시키고, 검사를 간소화할 수 있는 두 종의 새로운 패키지를 발표했다. 업계에서 입증된 DFN 형태를 변형한 두 패키지 모두 극도의 견고성과 신뢰성을 제공한다.
CGD 제품을 위해 개발된 DHDFN-9-1(Dual Heat-spreader DFN)은 광학 검사를 간소화할 수 있는 웨터블 플랭크(Wettable Flank)와 10 x 10mm의 작은 풋프린트에 얇은 양면 냉각을 갖춘 패키지이다. 이는 낮은 열저항(Rth(JC)을 제공하고, 하단과 상단, 양면 냉각으로 동작할 수 있어 설계 유연성을 제공하는 것은 물론, 상단 및 특히 양면 냉각으로 구성된 자주 사용되는 TOLT 패키지보다 성능이 뛰어나다. DHDFN-9-1 패키지는 최적의 PCB 레이아웃과 간단한 병렬 연결이 용이하도록 듀얼 게이트 핀아웃으로 설계되었으며, 고객들이 최대 6kW 애플리케이션을 손쉽게 처리할 수 있도록 지원한다.
BHDFN-9-1(Bottom Heat-spreader DFN)은 하단 냉각 패키지로, 검사를 용이하게 하는 웨터블 플랭크도 갖추고 있다. 열 저항은 0.28K/W이며, 다른 주요 디바이스와 일치하거나 이를 능가한다. 10 x 10mm 크기의 BHDFN은 일반적으로 사용되는 TOLL 패키지보다 작지만, 유사한 풋프린트를 가지고 있기 때문에 TOLL 패키지 기반 GaN 전력 IC와 공통의 레이아웃을 이용할 수 있어 사용 및 평가가 용이하다.
CGD의 제품 마케팅 매니저인 네어 가브리엘리안(Nare Gabrielyan)은 “이러한 새로운 패키지들은 고객이 더 높은 전력 레벨에서 ICeGaN GaN 전력 IC를 사용할 수 있도록 지원하기 위한 전략 중 하나이다.”며, “서버와 데이터센터, 인버터 및 모터 드라이브, 마이크로 인버터 및 기타 산업용 애플리케이션은 모두 GaN이 제공하는 전력 밀도와 효율성 이점을 활용하기 시작했지만, 까다로운 요구사항들 또한 존재한다. 이러한 애플리케이션에서는 견고하고 신뢰할 수 있으며, 설계하기 용이한 디바이스가 필수적이다. ICeGaN은 이러한 속성을 모두 갖추고 있으며, 새로운 패키지를 통해 지원을 더욱 확장하고 있다.”고 말했다.
열 저항 성능을 개선하면, 여러 가지 이점을 얻을 수 있다. 첫째, 동일한 RDS(on)에서 더 많은 전력 출력을 이용할 수 있다. 또한 디바이스가 동일한 전력으로 더 낮은 온도에서 동작하기 때문에 필요한 히트싱크를 줄이고, 시스템 비용을 절감할 수 있다. 동작 온도가 낮을수록 신뢰성은 높아지고 수명 또한 길어진다. 마지막으로 비용 제약이 있는 애플리케이션의 경우, 설계자들은 더 높은 RDS(on)을 갖춘 저렴한 부품을 사용하면서도 여전히 필요한 전력 출력을 달성할 수 있다.
이 새로운 패키지는 2024년 6월 11일부터 13일까지 독일 뉘른베르크, 뉘른베르크 전시센터(Nürnberg Messe)에 열리는 PCIM 전시회의 CGD 부스(# 7 643)에서 처음으로 공식 발표될 예정이다.
www.camgandevices.com
