CGD의 ICeGaN HEMT, TSMC의 유럽 연례행사에서 혁신 부문 ‘최고의 데모’로 선정

친환경 전자제품을 위한 에너지 효율적인 GaN 기반 전력 디바이스 제품군을 개발하고 있는 팹리스, 청정 반도체 기술 기업인 CGD(Cambridge GaN Devices)는 자사의 ICeGaN™ GaN HEMT SoC(System-on-Chip) 제품이 TSMC의 2023 유럽 기술 심포지엄 혁신 부문에서 ‘최고의 데모(Best Demo)’ 상을 수상했다고 밝혔다.

TSMC의 GaN 공정 기술을 이용해 글로벌 고객을 대상으로 대량 생산이 진행되고 있는 CGD의 ICeGaN은 일반적으로 외부에 사용되는 드라이브 회로를 GaN HEMT에 모놀리식으로 통합하여 복잡성을 해결했다. 이러한 개념을 통해 PCB 상의 구성요소 수를 줄이고, 전력 트랜지스터와 전체 시스템의 견고성 및 신뢰성을 대폭 향상시키는 동시에, 사용자가 선택한 게이트 드라이버와 결합할 수 있다. 또한 이 개념은 CGD가 적극적으로 추진하고 있는 더 높은 전력 및 전압으로 쉽게 확장할 수 있다. 업계 최초의 ICeGaN은 실리콘 MOSFET처럼 GaN eMode HEMT를 구동할 수 있다. ICeGaN은 업계에서의 차별성을 인정받아 TSMC가 개최한 유럽 최대 규모 연례 행사의 스타트업 고객을 위한 혁신 존에 전시되었으며, 방문객으로부터 ‘최고의 데모’로 선정되었다.

CGD의 조르지오 롱고바르디(Giorgia Longobardi) CEO 는 “CGD는 고전압 GaN 분야에서 가장 안정적이고 신뢰할 수 있는 공정 기술을 보유하고 있는 TSMC의 리더십을 활용하여 CGD의 독보적인 ICeGaN 기술 기반의 SoC를 생산하고 있다.”며, “이번 행사에서 TSMC의 권위 있는 혁신상을 수상하게 되어 매우 기쁘게 생각한다.”고 밝혔다. 이와 함께 “혁신은 CGD의 핵심 가치 중 하나로, 기술을 통해 선도적 입지를 구축하는 것을 목표로 하고 있기 때문에 이번 혁신상 수상은 더욱 의미가 크다. 또한 이 상은 혁신적인 GaN 기술을 시장에 출시하고, 새로운 변화를 주도하고 있는 두 회사의 성공적인 행보를 입증하는 사례이기도 하다.”고 덧붙였다.

TSMC의 유럽 총괄 매니저인 폴 드봇(Paul De Bot) 은 “혁신 기술상을 수상한 CGD에 진심으로 축하의 인사를 전한다. TSMC는 CGD와 협력하여 다양한 애플리케이션을 개발하고 있는 전 세계 기업들을 위해 사용이 용이한 650V ICeGaN 트랜지스터를 대량으로 공급할 수 있게 되어 기쁘게 생각한다. GaN 전력 반도체 기술 분야의 고객들과 앞으로도 긴밀한 협력을 기대한다.”고 말했다.

최근 시장에 출시된 CGD의 2세대 650V GaN IC인 ICeGaN H2 단일 칩 eMode GaN HEMT는 다양한 컨슈머 및 산업용 애플리케이션의 핵심인 무부하-경부하 동작에서 기록적인 낮은 손실을 보여주었다. 또한 CGD는 TSMC의 권위 있는 유럽 행사와 전 세계 여러 유명 컨퍼런스에서 H1 포트폴리오를 통해 65W ~ 3kW에 이르는 전체 범위에서 최고의 효율성과 신뢰성을 입증했다. CGD는 조만간 출시될 새로운 포트폴리오 확장을 위해 주력하고 있다.

ICeGaN은 전력 트랜지스터 내에 모놀리식으로 GaN 인터페이스 회로를 통합하고 있다. 이를 통해 특수 게이트 드라이버나 복잡하고 손실이 많은 드라이브 회로, 음전압 서플라이 또는 외부 클램핑 부품 없이도 실리콘 MOSFET처럼 구동할 수 있어 사용이 매우 용이하다. 이러한 혁신적인 설계는 매우 견고하고 안정적인 디바이스를 구현하는 동시에, 현재 이용 가능한 eMode GaN 기술 중 최고의 성능을 달성할 수 있다.

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