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08
'23
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Cambridge GaN Devices
CGD, 치코니 파워 및 캠브리지 대학 기술 서비스와 함께 GaN 에코시스템 구축
혁신적인 고성능 GaN 기반 노트북 및 데이터센터용 전력 제품을 개발하기 위한 시스템 및 애플리케이션, 연구 및 디바이스 전문지식으로 구성된 에코시스템.
CGD는 CEO인 조르지오 롱고바르디(Giorgia Longobardi)와 여전히 HVMS 그룹을 이끌고 있는 CGD의 CTO인 플로인 우드레아(Florin Udrea)를 통해 캠브리지 대학과 오랜 기간 지속적으로 긴밀한 관계를 유지하고 있다. 치코니 파워는 첨단 기술 혁신을 통해 스위치 모드 전원공급장치 분야를 선도하고 있는 세계적인 기업이며, 캠브리지 대학의 HVMS 그룹은 전력 반도체 디바이스에 대한 연구 및 혁신으로 명성이 높다. 따라서 이번 협력은 시스템 및 애플리케이션, 연구 및 디바이스에 대한 전문지식으로 구성된 중요한 GaN 에코시스템의 탄생을 의미한다. 이번 프로젝트를 통해 치코니 파워가 시장을 선도하고 있는 노트북용 고효율, 고밀도 어댑터를 위한 SMPS 프로토타입과 데이터센터 및 AI 서버 애플리케이션용 티타늄+(Titanium+) 효율/높은 전력밀도(> 100W/inch3)의 CRPS 및 OCP 파워랙(Power Shelf, 3kW ~ 6kW) 전원공급장치를 개발할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
CGD의 조르지오 롱고바르디 CEO는 “치코니 파워는 세계 선도적인 SMPS 제조기업 중 하나이다. 이번 협약은 고객과 사회 전반에 효율적인 전력 디바이스 기술을 제공하고자 하는 CGD의 여정에 매우 중요한 이정표가 될 것이다.”며, “또한 세계적으로 유명한 캠브리지 대학의 HVMS 그룹과 CGD의 비즈니스 강점이 결합됨으로써 광범위한 애플리케이션에서 고밀도 전력 솔루션의 개발 및 채택을 가속화하게 될 것이다.”고 밝혔다.
치코니 파워 테크놀로지의 피터 쳉(Peter Tseng) 사장은 “치코니 파워는 GaN에 대한 상당한 전문기술을 보유하고 있는 CGD 및 HVMS와 협력하게 되어 매우 기쁘게 생각한다. CGD는 이미 ICeGaN™ HEMT 디바이스의 두 번째 시리즈를 출시하고, 견고성과 사용 편의성 측면에서 최상의 성능을 제공하고 있다. 또한 CGD의 뿌리이기도 한 캠브리지 대학과의 강력한 유대관계를 통해 기존의 다른 GaN 회사들보다 더욱 긴밀하게 HVMS가 보유한 25년의 학문적 경험을 활용하고 있다.”고 말했다.
CGD는 최근 자사의 ICeGaN 650V 질화갈륨 HEMT 제품군의 두 번째 시리즈를 출시했다. H2 시리즈 ICeGaN HEMT는 일반적인 e-모드 GaN의 약점을 거의 모두 제거할 수 있는 CGD의 스마트 게이트 인터페이스를 이용하여 과전압 견고성을 크게 향상시키고, 더 높은 잡음 내성 임계값과 dV/dt 억제 및 ESD 보호 기능을 제공한다. 새로운 650V H2 ICeGaN 트랜지스터는 이전 세대 디바이스와 마찬가지로, 업계에서 제공되는 일반적인 게이트 드라이버를 이용하여 간단하게 구동할 수 있다. 이외에도 H2 ICeGaN HEMT는 실리콘 부품보다 10배 더 낮은 QG와 5배 더 낮은 QOSS를 갖추고 있다. 이러한 특성을 통해 스위칭 손실을 크게 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 크기와 무게도 줄일 수 있다.
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